0:00:00.523,0:00:01.643
♪[Musique]♪

0:00:45.087,0:00:48.290
Un transistor à effet [br]de champ à grille isolée

0:00:48.398,0:00:52.653
est composé de silicium dopé[br]de type P ou N.

0:00:53.009,0:00:57.630
Dans le cas présent, il s'agit [br]de silicium dopé de type P.

0:00:58.064,0:01:02.047
Il existe des électrons, [br]représentés ici en blanc,

0:01:02.047,0:01:05.188
et des trous qui sont[br]représentés en vert.

0:01:09.828,0:01:14.954
L'implantation ionique est réalisée[br]pour aboutir à deux zones dopées N.

0:01:16.757,0:01:19.630
Ceci signifie que d'autres électrons,

0:01:19.821,0:01:23.081
mobiles et représentés [br]en rouge dans le schéma,

0:01:23.276,0:01:26.287
existent en plus[br]des électrons de silicium.

0:01:30.317,0:01:33.556
Après, une couche d'isolation[br]est nécessaire.

0:01:33.920,0:01:36.574
Elle est souvent en dioxyde de silicium.

0:01:36.698,0:01:39.954
Sur cette couche, une couche [br]d'aluminium est appliquée.

0:01:40.387,0:01:43.725
Puis, une autre couche[br]de dioxyde de silicium,

0:01:43.787,0:01:48.356
qui contient déjà des trous gravés [br]pour les contacts, est appliquée.

0:01:48.668,0:01:51.203
Le transistor est maintenant fini.

0:01:51.932,0:01:54.860
Nous avons donc un substrat du type P, ...

0:01:55.559,0:01:57.987
deux zones fortement dopées N ...

0:01:58.302,0:02:00.463
et des broches appelées source, ...

0:02:00.768,0:02:03.068
grille, gate en anglais, ...

0:02:03.466,0:02:05.304
drain et substrat ...

0:02:05.723,0:02:11.279
qui alimentent les transistors avec[br]l'électricité et le courant nécessaire.

0:02:11.784,0:02:15.036
Source et substrat sont [br]généralement liés

0:02:15.300,0:02:18.054
et ont donc la même source d'électricité.

0:02:19.999,0:02:22.993
Le but est de réguler [br]le courant électrique

0:02:22.993,0:02:25.183
entre la source et le drain,

0:02:25.339,0:02:27.435
ce que l'on obtient par la grille.

0:02:28.710,0:02:30.786
S'il n'y a pas de courant à la grille, ...

0:02:31.094,0:02:32.139
rien ne passe,

0:02:32.240,0:02:35.461
étant donné l'absence [br]de porteur de charges libre

0:02:35.581,0:02:39.817
entre les deux zones [br]de type N indiquées en rouge.

0:02:42.800,0:02:45.595
Si la grille est mise [br]sous tension positive,

0:02:45.772,0:02:48.116
le champ électrique positif se crée

0:02:48.225,0:02:51.137
et attire les électrons [br]de la couche de type P ...

0:02:51.614,0:02:52.954
mais repousse les trous.

0:02:53.827,0:02:56.821
Les électrons forment [br]un canal conducteur N

0:02:57.351,0:03:02.563
capable de faire circuler les électrons[br]ou l'électricité de la source au drain.

0:03:12.752,0:03:17.253
Il faut noter que l'intensité du courant[br]entre la source et le drain ...

0:03:17.432,0:03:20.807
peut être renforcé[br]en augmentant la tension ...

0:03:20.937,0:03:23.908
ce qui génère un champ électrique[br]plus puissant

0:03:24.049,0:03:26.234
et un canal N plus important.

0:03:26.716,0:03:30.222
Ce type de transistor est appelé[br]à enrichissement.

0:03:30.458,0:03:32.756
Car sans tension à la grille, ...

0:03:32.901,0:03:36.287
aucun courant ne circule [br]entre la source et le drain.

0:03:39.111,0:03:40.113
♪[Musique]♪