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Showing Revision 7 created 10/05/2018 by मयंक कुमार.

  1. हम कुछ छोटे बदलाव करके
    अत्यधिक मेमोरी चर्निंग को रोक सकते है
  2. आइये, इसका तुलनात्मक अध्ययन करते है
  3. हर एक रो को बनाने हेतु एक-एक कर
    सेल् वैल्यू को कॉनकैटेनेट करने के वजाय
  4. हम स्ट्रिंग बिल्डर इंस्टैंस के द्वारा हरेक
    रो का निर्माण सिंगल स्ट्रिंग से करेंगे
  5. ध्यान दें, स्ट्रिंग बिल्डर इंस्टैंस को
    लूप के बाहर बनाया गया है
  6. इस कारण मेमोरी
    एक बार ही आवंटित हुई है
  7. अब इसका उपयोग बफर की तरह
  8. लूप के हर चाल में की जाएगी
  9. जहाँ पहले ये साफ होगी
  10. फिर हम इन्टिजर के सिंगल स्ट्रिंग को
    जोड़ कर हर चाल की रो बनाते जायेगे
  11. अधिक जानकारी के लिए इस कोड से
    सम्बंधित प्रशिक्षक के नोट देखें
  12. ठीक है, सत्यापन हेतु आगे बढ़ते है
  13. आप सुधारे गए इस नए कोड सेगमेंट
    को लोड करें,
  14. जिसे हम memory_churn_optimized कहेंगे,
    ट्रेस व्यू और मेमोरी मॉनिटर दोनों में.
  15. और पाते हैं, GC की घटनायें घटित होने के समय
    में कमी हुई है, दी गयी अवधि में
  16. अलोकेशन ट्रैकर द्वारा भी
    इसका सत्यापन कर सकते है
  17. यदि आप अलोकेशन ट्रैकर
    प्रयोग करते हो
  18. या ट्रेस व्यू अथवा मेमोरी मॉनिटर
    के उपयोग में कोई व्यवधान आती है
  19. तो इसके आउटपुट-स्क्रीनशॉट
    हमारे विचार-विमर्श फोरम पर भेजें
  20. हम देखना चाहेंगे
    आपको क्या मिला
  21. वापस आते है, इन बदलावों के वावजूद
  22. हमारा पर्फ़ पायरेट ठिठकता है
  23. पर इस बार यह कम है
  24. इसका मतलब, इस समय, यह फंक्शन
    संभवतः एक अच्छा विकल्प है,
  25. पृष्ठभूमि के लिए