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♪[Musique]♪
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Un transistor à effet
de champ à grille isolée
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est composé de silicium dopé
de type P ou N.
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Dans le cas présent, il s'agit
de silicium dopé de type P.
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Il existe des électrons,
représentés ici en blanc,
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et des trous qui sont
représentés en vert.
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L'implantation ionique est réalisée
pour aboutir à deux zones dopées N.
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Ceci signifie que d'autres électrons,
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mobiles et représentés
en rouge dans le schéma,
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existent en plus
des électrons de silicium.
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Après, une couche d'isolation
est nécessaire.
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Elle est souvent en dioxyde de silicium.
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Sur cette couche, une couche
d'aluminium est appliquée.
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Puis, une autre couche
de dioxyde de silicium,
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qui contient déjà des trous gravés
pour les contacts, est appliquée.
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Le transistor est maintenant fini.
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Nous avons donc un substrat du type P, ...
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deux zones fortement dopées N ...
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et des broches appelées source, ...
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grille, gate en anglais, ...
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drain et substrat ...
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qui alimentent les transistors avec
l'électricité et le courant nécessaire.
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Source et substrat sont
généralement liés
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et ont donc la même source d'électricité.
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Le but est de réguler
le courant électrique
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entre la source et le drain,
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ce que l'on obtient par la grille.
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S'il n'y a pas de courant à la grille, ...
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rien ne passe,
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étant donné l'absence
de porteur de charges libre
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entre les deux zones
de type N indiquées en rouge.
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Si la grille est mise
sous tension positive,
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le champ électrique positif se crée
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et attire les électrons
de la couche de type P ...
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mais repousse les trous.
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Les électrons forment
un canal conducteur N
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capable de faire circuler les électrons
ou l'électricité de la source au drain.
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Il faut noter que l'intensité du courant
entre la source et le drain ...
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peut être renforcé
en augmentant la tension ...
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ce qui génère un champ électrique
plus puissant
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et un canal N plus important.
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Ce type de transistor est appelé
à enrichissement.
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Car sans tension à la grille, ...
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aucun courant ne circule
entre la source et le drain.
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♪[Musique]♪
